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一种BCTZ-xCu体系巨介电陶瓷的制备方法
专利
专利摘要: 本发明提供了一种BCTZ-xCu体系巨介电陶瓷的制备方法,包括以下步骤将BaCl2·2H2O、CaCl2、ZrOCl2·8H2O以及CuCl2溶水中配成混合溶液A,搅拌混合溶液A、静置;将TiCl4及NaOH加入至步骤1)中的混合溶液A中配成混合溶液B,搅拌混合溶液B至白色粘稠状,得到水热反应的前驱物;将前驱物移入水热釜中反应;待反应结束,水热釜温度降至室温后,取出水热釜,将水热釜中的产物洗涤后,再干燥,得到巨介电陶瓷粉体;将BCTZ-xCu体系巨介电陶瓷粉体通过去离子水洗涤、沉淀;将成型后的坯体在马弗炉中进行微波烧结,得到BCTZ-xCu体系巨介电陶瓷。本发明与传统CCTO巨介电材料相比,其制备工艺简单,容易合成,大大缩短了烧结时间,提高了生产效率。 -
低温晶化的bzt-bct压电薄膜的制备方法
专利
专利摘要: 低温晶化的BZT-BCT压电薄膜的制备方法,它涉及一种Ba系压电薄膜的制备方法。本发明的目的是为了解决现有Ba系压电薄膜材料晶化温度过高,不利于节能和与大面积Si集成使用的技术问题,本方法如下制备溶液F,溶胶E;制备溶胶D;制备钛酸铅镧钙溶胶;制备锆钛酸钡钙溶胶;在基底上制备种子层薄膜,在种子层薄膜上旋转涂覆锆钛酸钡钙溶胶,热分解,晶化处理,即得。本发明的BZT-BC压电薄膜在700℃晶化处理下生成钙钛矿结构,表现出较为优良压电性能。通过PLCT种子层的引入,在500℃的低温晶化下的BZT-BCT压电薄膜也生成了钙钛矿结构,表现出同样的优良的压电性能。本发明属于压电薄膜的制备领域。 -
Bct制浆后的废水在洗涤碱回收白泥工艺的新应用制作方法
专利
胡娟
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